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2022-04-18
关于MOSFET的寄生容量和温度特性
MOSFET的静电容量:功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量。功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘,DS (漏极、源极) 间形成PN接合,成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化...
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2022-04-18
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2022-04-18
整流二极管的计算与质量判断
在对整流二极管进行电路设计时,选择性能参数合适的整流二极管是非常重要的,以实际设计电路为例子。由图可知,交流输入端为:220V/50HZ,要求整流输出的直流电压为UO=60V,负载电流为IO=500mA;下面是两种计算方式:1.计算流过整流二极管的直流电流由于采...
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2022-04-18
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2022-04-18
三极管(晶体管)的分类
晶体管分类图:按照该分类,掌握其种类;1. 按结构分类:根据工作原理不同分类,分为双极晶体管和单极晶体管。晶体管分类图:按照该分类,掌握其种类,1. 按结构分类:根据工作原理不同分类,分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管:双是指Bi(2个)、极是指divola...
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2022-04-18
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2022-04-18
二极管的工作原理
一个PN结加上电引线封装起来就构成了二极管。下面就简要介绍一下PN节的构成以及其工作原理。PN结名思义就是由p型半导体和n型半导体组成的半导体交接界面。对于p型半导体,由于在四价元素构成的半导体当中掺杂了三价元素,比如在硅中掺杂硼。三价元素的原子可以接受电子变成...
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2022-04-18
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2022-04-19
三极管(晶体管)的逆向电流容许功率带宽积
关于晶体管ON时的逆向电流:在NPN晶体管中,基极 (B) 被偏置为正,集电极 (C) 被偏置为负,由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏,在使用上是没有问题的。2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说,逆接C、E也同样有...
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2022-04-19
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2022-04-18
数字晶体管工作原理
①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1;②输入电阻:R1是±30% E-B间的电阻:R2/R1=±20%;③VBE是0.55~0.75V;数字晶体管具有下面的关系式。数字晶体管直流电流增益率的关系式
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2022-04-18
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